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DB13/T 5695-2023 GaN HEMT射频器件陷阱效应测试方法
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- 类 别：综合地方标准
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资料介绍
本文件规定了GaN HEMT射频器件陷阱效应的测试原理、测试环境、测试系统、测试步骤、试验数据处理。
本文件适用于GaN HEMT射频器件陷阱效应评估，GaN HEMT射频芯片、模块和晶圆级封装产品可参照使用。
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